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景翔推荐的TM2009是一款前端多芯片集成电路，芯片使用先进的砷化镓(GaAs)技术。 前端MCM集成电路包括功率放大器(PA)，低噪声放大器(LNA)和二个RF单刀双掷(SPDT)开关。 这个设备最适合IEEE 802.11.b/g、Bluetooth、2.4Ghz影音应用、无线数据终端，和可携式的设备。 PA提供了+23dBm (最大值)输出的功率输出，效率(PAE) 41%。 LNA噪声指数NF在1.8dB之下。 RF SPDT开关在2.4GHz对2.5GHz范围，有非常低插入损失0.4dB。 本IC在封装QFN 4mm-20L封装内。

Applications:

Bluetooth PA(Class 1)

Wireless Data Terminal

Wireless Audio

portable Battery Powered Equipment

Features

High Efficient Power Amplifier:41%at Pout=23dBm

P1dB:+21dBm Typical@+3.3v

Low-Noise Amplifier(NF typical 1.8dB)

Low Insertion loss:[email protected]

llp3:55dBm@Input Power up to 20dBm

QFN 4*4 mm 20L with thermal ground ultra small plastic package

Green,MSL 1