奈梅亨，2023年11月30日：基础半导体器件领域的高产能生产专家澳门赌博真钱今日宣布推出其首款碳化硅(澳门赌博真钱) 澳门赌博真钱，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是澳门赌博真钱 澳门赌博真钱 澳门赌博真钱产品组合中首批发布的产品，随后澳门赌博真钱将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能澳门赌博真钱 澳门赌博真钱的需求。

澳门赌博真钱高级总监兼澳门赌博真钱产品部主管Katrin Feurle表示：“澳门赌博真钱和三菱电机希望这两款首发产品可以激发更多的创新，推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。澳门赌博真钱现可提供澳门赌博真钱 澳门赌博真钱器件，这些器件的多个参数性能均超越同类产品，例如极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量澳门赌博真钱 澳门赌博真钱的开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动澳门赌博真钱器件性能的发展。”

三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示：“我们很高兴与澳门赌博真钱携手推出这些新型澳门赌博真钱 澳门赌博真钱，这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在澳门赌博真钱功率半导体方面积累了丰富的专业知识，我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。”

RDS(on)会影响传导功率损耗，是澳门赌博真钱 澳门赌博真钱的关键性能参数。澳门赌博真钱发现这也是造成目前市场上许多澳门赌博真钱器件的性能受限的因素，新推出的澳门赌博真钱 澳门赌博真钱采用了创新型工艺技术，实现了业界领先的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDS(on)的标称值仅增加38%。

澳门赌博真钱 澳门赌博真钱 澳门赌博真钱的栅极总电荷(QG)非常低，由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外，澳门赌博真钱通过平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。

除了正温度系数外，澳门赌博真钱的澳门赌博真钱 澳门赌博真钱的器件间阈值电压VGS(th)也超低，这使得器件并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。

澳门赌博真钱未来还计划推出车规级澳门赌博真钱。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0现已投入大批量生产。请联系澳门赌博真钱销售代表获取全套澳门赌博真钱 澳门赌博真钱样品。

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