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刘鸿睿,赵宏亮,尹飞飞
(辽宁大学 物理学院,辽宁 沈阳 110036)
摘要: 阐述了一款玩博备用地址玩博备用地址的设计过程和测试结果。该放大器工作在5~5.8 GHz,采用氮化镓HEMT工艺,在28 V漏极供电电压下实现了48 dBm输出功率和55%功率附加效率。同时,该玩博备用地址放大器将栅极和漏极偏置电路设计在芯片内部,无需在外部设计偏置电路,在保证功放性能的同时实现了小型化。该设计充分体现了GaN玩博备用地址电路的高功率、玩博备用地址、小型化的优势。
中图分类号:TN722.7 文献标志码:A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.223557
中文引用格式: 刘鸿睿,赵宏亮,尹飞飞. 玩博备用地址玩博备用地址玩博备用地址玩博备用地址设计[J]. 世纪娱乐注册,2023,49(9):58-62.
英文引用格式: Liu Hongrui,Zhao Hongliang,Yin Feifei. Design of high efficiency internal matching power amplifier of C band[J]. Application of Electronic Technique,2023,49(9):58-62.
Design of high efficiency internal matching power amplifier of C band
Liu Hongrui,Zhao Hongliang,Yin Feifei
(School of Physics, Liaoning University, Shenyang 110036, China)
Abstract: The design process and measurement results of an internal matching power amplifier are detailed in this paper. This amplifier with GaN HEMT process operates at 5~5.8 GHz. It achieves output power of 48 dBm and power added efficiency of 55% with supply voltage of 28 V. Meanwhile, the bias circuits are integrated in the chip instead of extra off-chip bias circuits, hence it combines the performance and miniaturization. It fully reflects the advantages of high power, high efficiency and miniaturization of GaN internal matching circuit.
Key words : internal matching;power amplifier;C band;high efficiency

0 引言

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作者信息:

刘鸿睿,赵宏亮,尹飞飞 (辽宁大学 物理学院,辽宁 沈阳 110036)


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